Posee un diseño compacto donde la fuente de emisión de luz (diodo IR) y el detector (foto transistor) están dispuestos en la misma dirección

Temperatura de operación: -10℃ +45℃

Número de entradas/salidas:18 E/S's

-5%- Peso neto: 115g- Dimensiones: Ver imagen- Material de carcasa: Acero inoxidable / aluminio- Temperatura de trabajo: -10 ~ 60°C- Temperatura de almacenamiento: -20 ~ 85°C- Humedad ambiente: 0 - 95%** El equipo cuenta con garantía de 12 meses

Voltaje inverso

IRF530N Transistor MOSFET mq4 Posee un diseño compacto dondeEl transistor Mosfet IRF530N de canal N ofrece la mejor combinacin de conmutacin rpida, el diseo de este dispositivos esta hecho para uso rudo, baja resistencia y tiene una buena relacin costo efectividad. Polaridad del transistor: NPN Intensidad drenador continua Id: 14 A Tensin drenaje fuente Vds: 100 V Resistencia de activacin Rds(on): 110mohm Tensin Vgs de medicin Rds(on): 100 V Tensin umbral Vgs: 2 V Disipacin de potencia Pd: 55 W Temperatura de